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发光二极管（LED）作为新一代固态照明技术，凭借其较高的发光效率、较长的使用寿命和良好的环保特性，已广泛渗透于通用照明、显示背光、汽车照明、信号指示及农业补光等领域。LED加工工艺是指将半导体外延片制备成具有光电性能的芯片的全过程，涵盖光刻、刻蚀、电极制备、衬底减薄、划片裂片及测试分选等多个精密工序。这一工艺链的成熟度和控制水平，直接决定着LED芯片的光效、色温一致性、可靠性和制造成本，是半导体照明产业链中承上启下的核心制造环节。
LED加工工艺的起点是外延片。通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）在蓝宝石、碳化硅或硅衬底上生长出具有多层量子阱结构的薄膜材料。外延片经检验合格后，进入芯片前端工艺。
前端工艺包括光刻、刻蚀和电极制备。光刻工序通过涂布光刻胶、曝光和显影，在晶圆表面形成所需的几何图形，定义出每个芯片的台面区域和电极接触窗口。干法或湿法刻蚀将未受光刻胶保护的半导体材料去除，形成隔离沟槽或台面结构，以防止相邻芯片间的漏电。电极制备采用电子束蒸发或磁控溅射方法，在P型和N型半导体层上分别沉积欧姆接触金属层，经高温合金化处理形成低电阻接触。
后端工艺包括衬底减薄、划片裂片和芯片分选。衬底减薄通过机械研磨和化学机械抛光将外延片厚度减薄，以改善芯片散热性能并降低后续划片难度。划片工序采用金刚石砂轮切割或激光隐形切割将晶圆分割成单颗芯片。z后，通过自动测试分选机对每颗芯片的光、电参数进行测试和分类，分级包装入库。
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